Rumah > Produk > Litar Bersepadu (ICS) > memori > EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
RFQs/Pesanan (0)
Melayu
Melayu
1505438

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Permintaan Quote

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dengan maklumat hubungan anda. Klik "Hantar RFQ" kami akan menghubungi anda sebentar lagi melalui e -mel.Atau e -mel kepada kami:info@ftcelectronics.com

Harga Rujukan (Dalam Dolar AS)

Dalam stok
2100+
$14.757
Pertanyaan Dalam Talian
Spesifikasi
  • Nombor Bahagian
    EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
  • Pengilang / jenama
  • Kuantiti saham
    Dalam stok
  • Penerangan
    IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Lead percuma / RoHS Compliant
  • Model ECAD
  • Tulis Cycle Time - Word, Page
    -
  • Voltan - Bekalan
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Teknologi
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Siri
    -
  • Suhu Operasi
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tahap Sensitiviti Lembapan (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Jenis ingatan
    Volatile
  • Saiz memori
    4Gb (128M x 32)
  • Muka memori
    Parallel
  • Format memori
    DRAM
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Penerangan terperinci
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz
  • Kekerapan jam
    533MHz
EDB4432BBPA-1D-F-D

EDB4432BBPA-1D-F-D

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Penerangan: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Penerangan: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Penerangan: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Penerangan: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4416BBBH-1DIT-F-R

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Penerangan: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Penerangan: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Penerangan: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Pengilang: Micron Technology
Dalam stok

Pilih Bahasa

Klik pada ruang untuk keluar