Rumah > Produk > Litar Bersepadu (ICS) > memori > 70V639S12PRFI
RFQs/Pesanan (0)
Melayu
Melayu
3633895

70V639S12PRFI

Permintaan Quote

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dengan maklumat hubungan anda. Klik "Hantar RFQ" kami akan menghubungi anda sebentar lagi melalui e -mel.Atau e -mel kepada kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan Dalam Talian
Spesifikasi
  • Nombor Bahagian
    70V639S12PRFI
  • Pengilang / jenama
  • Kuantiti saham
    Dalam stok
  • Penerangan
    IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Mengandungi plumbum / Rosh tidak patuh
  • Helaian data
  • Model ECAD
  • Tulis Cycle Time - Word, Page
    12ns
  • Voltan - Bekalan
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Teknologi
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Pembekal Peranti Pakej
    128-TQFP (14x20)
  • Siri
    -
  • pembungkusan
    Tray
  • Pakej / Kes
    128-LQFP
  • Nama lain
    IDT70V639S12PRFI
    IDT70V639S12PRFI-ND
  • Suhu Operasi
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • pemasangan Jenis
    Surface Mount
  • Tahap Sensitiviti Lembapan (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Jenis ingatan
    Volatile
  • Saiz memori
    2.25Mb (128K x 18)
  • Muka memori
    Parallel
  • Format memori
    SRAM
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Penerangan terperinci
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 12ns 128-TQFP (14x20)
  • Nombor Bahagian Asas
    IDT70V639
  • Masa capaian
    12ns
70V639S15PRF8

70V639S15PRF8

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V657S10BFG8

70V657S10BFG8

Penerangan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12PRFI8

70V639S12PRFI8

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12BFI8

70V639S12BFI8

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S15BF8

70V639S15BF8

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12BF

70V639S12BF

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V657S10BC

70V657S10BC

Penerangan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S15BF

70V639S15BF

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12BFGI8

70V639S12BFGI8

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208FPBGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12PRF

70V639S12PRF

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12PRF8

70V639S12PRF8

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12BFGI

70V639S12BFGI

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208FPBGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V657S10BC8

70V657S10BC8

Penerangan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12BCI

70V639S12BCI

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12BFI

70V639S12BFI

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S15PRF

70V639S15PRF

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12BF8

70V639S12BF8

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V657S10BFG

70V657S10BFG

Penerangan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V639S12BCI8

70V639S12BCI8

Penerangan: IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok
70V657S10BCG

70V657S10BCG

Penerangan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Pengilang: IDT (Integrated Device Technology)
Dalam stok

Pilih Bahasa

Klik pada ruang untuk keluar