Bagi pelawat di Electronica 2024

Tempah masa anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk menempah tempat anda dan dapatkan tiket gerai

Hall C5 Booth 220

Pendaftaran pendahuluan

Bagi pelawat di Electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih kerana membuat temujanji!
Kami akan menghantar tiket gerai melalui e -mel sebaik sahaja kami mengesahkan tempahan anda.
Rumah > Produk > Perlindungan litar > TVS - Diod > JAN1N5612
RFQs/Pesanan (0)
Melayu
Melayu
1157662

JAN1N5612

Permintaan Quote

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dengan maklumat hubungan anda. Klik "Hantar RFQ" kami akan menghubungi anda sebentar lagi melalui e -mel.Atau e -mel kepada kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan Dalam Talian
Spesifikasi
  • Nombor Bahagian
    JAN1N5612
  • Pengilang / jenama
    Microsemi
  • Kuantiti saham
    Dalam stok
  • Penerangan
    TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Mengandungi plumbum / Rosh tidak patuh
  • Helaian data
    JAN1N5612.pdf
  • Voltan - Songsang Standoff (Typ)
    49V
  • Voltan - Pengapitan (Max) @ IPP
    78.5V
  • Voltan - Breakdown (Min)
    54V
  • Saluran satu arah
    1
  • Jenis
    Zener
  • Pembekal Peranti Pakej
    G, Axial
  • Siri
    Military, MIL-PRF-19500/434
  • Perlindungan Talian kuasa
    No
  • Power - Pulse Peak
    1500W (1.5kW)
  • pembungkusan
    Bulk
  • Pakej / Kes
    G, Axial
  • Nama lain
    1086-15770
    1086-15770-MIL
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • pemasangan Jenis
    Through Hole
  • Tahap Sensitiviti Lembapan (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Semasa - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    19A
  • Kemuatan @ Frequency
    -
  • aplikasi
    General Purpose

Dilaporkan bahawa Kioxia akan menerima kelulusan penyenarai...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Menara Semiconductor telah d...

2024/11/20

Industri pulih perlahan -lahan.Pembekal epitaxial IQE menga...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pembekal: Sebilangan besar komponen GPU RTX 50 Series akan ...

2024/11/18

Nilai output semikonduktor Taiwan, China akan berkembang se...

2024/11/17

Memperluas pengeluaran panel OLED, paparan LG akan melabur ...

2024/11/15

Amazon meningkatkan usaha untuk mencipta cip AI yang disesu...

2024/11/14

Keuntungan bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4.296 bilion, pen...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan merancang untuk membuat tindakan cip untuk me...

2024/11/13
penghantaran
Pembayaran
Berikut adalah produk berkaitan "JAN1N5612".
JAN1N5558

JAN1N5558

Penerangan: TVS DIODE 175V 265V DO13

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Penerangan: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Penerangan: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Pengilang: Microsemi Corporation
Dalam stok
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Penerangan: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Pengilang: Microsemi Corporation
Dalam stok
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Penerangan: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Penerangan: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Pengilang: Microsemi Corporation
Dalam stok
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Penerangan: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Penerangan: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Penerangan: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Penerangan: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Penerangan: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Penerangan: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Pengilang: Microsemi
Dalam stok
RFQ
Sebagai satu -satunya pengedar pasaran terbuka awam, kami mempunyai gabungan unik akses global, kepakaran industri pembuatan, dan kualiti yang terbukti.Dengan ini, kami boleh membuat penyelesaian rantaian bekalan yang disesuaikan dan akhir-ke-akhir untuk komponen elektronik dan pengurusan inventori.
Ikut kami
Terma & SyaratDasar pelanggaranPermintaan SebuthargaTentang kitaHubungi KamiPeta tapak

Pilih Bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa semasa.

Pilih negara atau rantau anda.