Bagi pelawat di Electronica 2024

Tempah masa anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk menempah tempat anda dan dapatkan tiket gerai

Hall C5 Booth 220

Pendaftaran pendahuluan

Bagi pelawat di Electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih kerana membuat temujanji!
Kami akan menghantar tiket gerai melalui e -mel sebaik sahaja kami mengesahkan tempahan anda.
Rumah > Produk > Discrete Semiconductor Produk > Transistor - FET, MOSFET - Single > RS3E095BNGZETB
RFQs/Pesanan (0)
Melayu
Melayu
4447776

RS3E095BNGZETB

Permintaan Quote

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dengan maklumat hubungan anda. Klik "Hantar RFQ" kami akan menghubungi anda sebentar lagi melalui e -mel.Atau e -mel kepada kami:info@ftcelectronics.com

Harga Rujukan (Dalam Dolar AS)

Dalam stok
1+
$0.88
10+
$0.767
100+
$0.592
500+
$0.438
1000+
$0.351
Pertanyaan Dalam Talian
Spesifikasi
  • Nombor Bahagian
    RS3E095BNGZETB
  • Pengilang / jenama
    LAPIS Technology
  • Kuantiti saham
    Dalam stok
  • Penerangan
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Lead percuma / RoHS Compliant
  • Helaian data
    RS3E095BNGZETB.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • VGS (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pembekal Peranti Pakej
    8-SOP
  • Siri
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Kuasa Penyebaran (Max)
    2W (Tc)
  • pembungkusan
    Cut Tape (CT)
  • Pakej / Kes
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    RS3E095BNGZETBCT
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • pemasangan Jenis
    Surface Mount
  • Tahap Sensitiviti Lembapan (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input kemuatan (CISS) (Max) @ Vds
    680pF @ 15V
  • Gate Charge (QG) (Max) @ VGS
    8.3nC @ 4.5V
  • Jenis FET
    N-Channel
  • FET Ciri
    -
  • Drive Voltan (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Parit untuk Source Voltan (Vdss)
    30V
  • Penerangan terperinci
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Semasa - Drain berterusan (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 pemberhentian, dengan kos penstru...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus kuat, dengan aliran pesanan yan...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung dengan ketara mengurangkan penggunaan photoresist d...

2024/12/2

Vishay akan melabur £ 51 juta dalam Fab Wafer NWF yang dip...

2024/11/29
penghantaran
Pembayaran
Berikut adalah produk berkaitan "RS3E095BNGZETB".
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Pengilang: Diodes Incorporated
Dalam stok
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Penerangan: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Pengilang: Diodes Incorporated
Dalam stok
RFQ
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Pengilang: Diodes Incorporated
Dalam stok
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Penerangan: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Penerangan: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Pengilang: Diodes Incorporated
Dalam stok
RFQ
Sebagai satu -satunya pengedar pasaran terbuka awam, kami mempunyai gabungan unik akses global, kepakaran industri pembuatan, dan kualiti yang terbukti.Dengan ini, kami boleh membuat penyelesaian rantaian bekalan yang disesuaikan dan akhir-ke-akhir untuk komponen elektronik dan pengurusan inventori.
Ikut kami
Terma & SyaratDasar pelanggaranPermintaan SebuthargaTentang kitaHubungi KamiBeritaPeta tapak

Pilih Bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa semasa.

Pilih negara atau rantau anda.