Bagi pelawat di Electronica 2024

Tempah masa anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk menempah tempat anda dan dapatkan tiket gerai

Hall C5 Booth 220

Pendaftaran pendahuluan

Bagi pelawat di Electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih kerana membuat temujanji!
Kami akan menghantar tiket gerai melalui e -mel sebaik sahaja kami mengesahkan tempahan anda.
Rumah > Produk > Discrete Semiconductor Produk > Transistor - FET, MOSFET - Single > RS1E130GNTB
RFQs/Pesanan (0)
Melayu
Melayu
4699545Image RS1E130GNTB.LAPIS Semiconductor

RS1E130GNTB

Permintaan Quote

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dengan maklumat hubungan anda. Klik "Hantar RFQ" kami akan menghubungi anda sebentar lagi melalui e -mel.Atau e -mel kepada kami:info@ftcelectronics.com

Harga Rujukan (Dalam Dolar AS)

Dalam stok
1+
$0.67
10+
$0.564
100+
$0.423
500+
$0.31
1000+
$0.24
Pertanyaan Dalam Talian
Spesifikasi
  • Nombor Bahagian
    RS1E130GNTB
  • Pengilang / jenama
    LAPIS Technology
  • Kuantiti saham
    Dalam stok
  • Penerangan
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Lead percuma / RoHS Compliant
  • Helaian data
    1.RS1E130GNTB.pdf
    2.RS1E130GNTB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • VGS (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pembekal Peranti Pakej
    8-HSOP
  • Siri
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    11.7 mOhm @ 13A, 10V
  • Kuasa Penyebaran (Max)
    3W (Ta), 22.2W (Tc)
  • pembungkusan
    Cut Tape (CT)
  • Pakej / Kes
    8-PowerTDFN
  • Nama lain
    RS1E130GNTBCT
  • Suhu Operasi
    150°C (TJ)
  • pemasangan Jenis
    Surface Mount
  • Tahap Sensitiviti Lembapan (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Pengilang Standard Lead Time
    40 Weeks
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input kemuatan (CISS) (Max) @ Vds
    420pF @ 15V
  • Gate Charge (QG) (Max) @ VGS
    7.9nC @ 10V
  • Jenis FET
    N-Channel
  • FET Ciri
    -
  • Drive Voltan (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Parit untuk Source Voltan (Vdss)
    30V
  • Penerangan terperinci
    N-Channel 30V 13A (Ta) 3W (Ta), 22.2W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Semasa - Drain berterusan (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Dilaporkan bahawa Kioxia akan menerima kelulusan penyenarai...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Menara Semiconductor telah d...

2024/11/20

Industri pulih perlahan -lahan.Pembekal epitaxial IQE menga...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pembekal: Sebilangan besar komponen GPU RTX 50 Series akan ...

2024/11/18

Nilai output semikonduktor Taiwan, China akan berkembang se...

2024/11/17

Memperluas pengeluaran panel OLED, paparan LG akan melabur ...

2024/11/15

Amazon meningkatkan usaha untuk mencipta cip AI yang disesu...

2024/11/14

Keuntungan bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4.296 bilion, pen...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan merancang untuk membuat tindakan cip untuk me...

2024/11/13
penghantaran
Pembayaran
Berikut adalah produk berkaitan "RS1E130GNTB".
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Pengilang: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Dalam stok
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Penerangan: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Pengilang: LAPIS Semiconductor
Dalam stok
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Penerangan: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Pengilang: TSC (Taiwan Semiconductor)
Dalam stok
RFQ
Sebagai satu -satunya pengedar pasaran terbuka awam, kami mempunyai gabungan unik akses global, kepakaran industri pembuatan, dan kualiti yang terbukti.Dengan ini, kami boleh membuat penyelesaian rantaian bekalan yang disesuaikan dan akhir-ke-akhir untuk komponen elektronik dan pengurusan inventori.
Ikut kami
Terma & SyaratDasar pelanggaranPermintaan SebuthargaTentang kitaHubungi KamiPeta tapak

Pilih Bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa semasa.

Pilih negara atau rantau anda.