Bagi pelawat di Electronica 2024

Tempah masa anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk menempah tempat anda dan dapatkan tiket gerai

Hall C5 Booth 220

Pendaftaran pendahuluan

Bagi pelawat di Electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih kerana membuat temujanji!
Kami akan menghantar tiket gerai melalui e -mel sebaik sahaja kami mengesahkan tempahan anda.
Rumah > Produk > Discrete Semiconductor Produk > Transistor - FET, MOSFET - Perlengkapan > SI4900DY-T1-GE3
RFQs/Pesanan (0)
Melayu
Melayu
4265942

SI4900DY-T1-GE3

Permintaan Quote

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dengan maklumat hubungan anda. Klik "Hantar RFQ" kami akan menghubungi anda sebentar lagi melalui e -mel.Atau e -mel kepada kami:info@ftcelectronics.com

Harga Rujukan (Dalam Dolar AS)

Dalam stok
2500+
$0.58
Pertanyaan Dalam Talian
Spesifikasi
  • Nombor Bahagian
    SI4900DY-T1-GE3
  • Pengilang / jenama
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantiti saham
    Dalam stok
  • Penerangan
    MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Lead percuma / RoHS Compliant
  • Helaian data
    SI4900DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pembekal Peranti Pakej
    8-SO
  • Siri
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    58 mOhm @ 4.3A, 10V
  • Power - Max
    3.1W
  • pembungkusan
    Tape & Reel (TR)
  • Pakej / Kes
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    SI4900DY-T1-GE3-ND
    SI4900DY-T1-GE3TR
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • pemasangan Jenis
    Surface Mount
  • Tahap Sensitiviti Lembapan (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Pengilang Standard Lead Time
    33 Weeks
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input kemuatan (CISS) (Max) @ Vds
    665pF @ 15V
  • Gate Charge (QG) (Max) @ VGS
    20nC @ 10V
  • Jenis FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Ciri
    Logic Level Gate
  • Parit untuk Source Voltan (Vdss)
    60V
  • Penerangan terperinci
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Semasa - Drain berterusan (Id) @ 25 ° C
    5.3A
  • Nombor Bahagian Asas
    SI4900

AMD melancarkan pembinaan fasa kedua Pusat Reka Bentuk Bang...

2024/11/26

Kad Grafik Nvidia RTX 5090 mempunyai kawasan GPU sebanyak 7...

2024/11/25

Antropik menerima pelaburan $ 4 bilion lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Jualan IC meningkat sebanyak 12% pada Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahawa Kioxia akan menerima kelulusan penyenarai...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Menara Semiconductor telah d...

2024/11/20

Industri pulih perlahan -lahan.Pembekal epitaxial IQE menga...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pembekal: Sebilangan besar komponen GPU RTX 50 Series akan ...

2024/11/18

Nilai output semikonduktor Taiwan, China akan berkembang se...

2024/11/17

Memperluas pengeluaran panel OLED, paparan LG akan melabur ...

2024/11/15
penghantaran
Pembayaran
Berikut adalah produk berkaitan "SI4900DY-T1-GE3".
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Penerangan: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Penerangan: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Penerangan: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Penerangan: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Penerangan: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Penerangan: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Penerangan: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
Sebagai satu -satunya pengedar pasaran terbuka awam, kami mempunyai gabungan unik akses global, kepakaran industri pembuatan, dan kualiti yang terbukti.Dengan ini, kami boleh membuat penyelesaian rantaian bekalan yang disesuaikan dan akhir-ke-akhir untuk komponen elektronik dan pengurusan inventori.
Ikut kami
Terma & SyaratDasar pelanggaranPermintaan SebuthargaTentang kitaHubungi KamiPeta tapak

Pilih Bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa semasa.

Pilih negara atau rantau anda.