Bagi pelawat di Electronica 2024

Tempah masa anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk menempah tempat anda dan dapatkan tiket gerai

Hall C5 Booth 220

Pendaftaran pendahuluan

Bagi pelawat di Electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih kerana membuat temujanji!
Kami akan menghantar tiket gerai melalui e -mel sebaik sahaja kami mengesahkan tempahan anda.
Rumah > Produk > Discrete Semiconductor Produk > Transistor - FET, MOSFET - Single > SI4158DY-T1-GE3
RFQs/Pesanan (0)
Melayu
Melayu
3350383

SI4158DY-T1-GE3

Permintaan Quote

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dengan maklumat hubungan anda. Klik "Hantar RFQ" kami akan menghubungi anda sebentar lagi melalui e -mel.Atau e -mel kepada kami:info@ftcelectronics.com

Harga Rujukan (Dalam Dolar AS)

Dalam stok
2500+
$0.757
Pertanyaan Dalam Talian
Spesifikasi
  • Nombor Bahagian
    SI4158DY-T1-GE3
  • Pengilang / jenama
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantiti saham
    Dalam stok
  • Penerangan
    MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Lead percuma / RoHS Compliant
  • Helaian data
    SI4158DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • VGS (Max)
    ±16V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pembekal Peranti Pakej
    8-SO
  • Siri
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    2.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Kuasa Penyebaran (Max)
    3W (Ta), 6W (Tc)
  • pembungkusan
    Tape & Reel (TR)
  • Pakej / Kes
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • pemasangan Jenis
    Surface Mount
  • Tahap Sensitiviti Lembapan (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Status Percuma / Rosh Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input kemuatan (CISS) (Max) @ Vds
    5710pF @ 10V
  • Gate Charge (QG) (Max) @ VGS
    132nC @ 10V
  • Jenis FET
    N-Channel
  • FET Ciri
    -
  • Drive Voltan (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Parit untuk Source Voltan (Vdss)
    20V
  • Penerangan terperinci
    N-Channel 20V 36.5A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Semasa - Drain berterusan (Id) @ 25 ° C
    36.5A (Tc)

AMD melancarkan pembinaan fasa kedua Pusat Reka Bentuk Bang...

2024/11/26

Kad Grafik Nvidia RTX 5090 mempunyai kawasan GPU sebanyak 7...

2024/11/25

Antropik menerima pelaburan $ 4 bilion lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Jualan IC meningkat sebanyak 12% pada Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahawa Kioxia akan menerima kelulusan penyenarai...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Menara Semiconductor telah d...

2024/11/20

Industri pulih perlahan -lahan.Pembekal epitaxial IQE menga...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pembekal: Sebilangan besar komponen GPU RTX 50 Series akan ...

2024/11/18

Nilai output semikonduktor Taiwan, China akan berkembang se...

2024/11/17

Memperluas pengeluaran panel OLED, paparan LG akan melabur ...

2024/11/15
penghantaran
Pembayaran
Berikut adalah produk berkaitan "SI4158DY-T1-GE3".
SI4136-F-GMR

SI4136-F-GMR

Penerangan: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

Pengilang: Energy Micro (Silicon Labs)
Dalam stok
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4136-F-GT

SI4136-F-GT

Penerangan: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

Pengilang: Energy Micro (Silicon Labs)
Dalam stok
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4136-F-GM

SI4136-F-GM

Penerangan: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

Pengilang: Energy Micro (Silicon Labs)
Dalam stok
RFQ
SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4136-F-GTR

SI4136-F-GTR

Penerangan: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

Pengilang: Energy Micro (Silicon Labs)
Dalam stok
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4136M-EVB

SI4136M-EVB

Penerangan: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Pengilang: Energy Micro (Silicon Labs)
Dalam stok
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
SI4136-F-BT

SI4136-F-BT

Penerangan: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Pengilang: Energy Micro (Silicon Labs)
Dalam stok
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Penerangan: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Pengilang: Electro-Films (EFI) / Vishay
Dalam stok
RFQ
Sebagai satu -satunya pengedar pasaran terbuka awam, kami mempunyai gabungan unik akses global, kepakaran industri pembuatan, dan kualiti yang terbukti.Dengan ini, kami boleh membuat penyelesaian rantaian bekalan yang disesuaikan dan akhir-ke-akhir untuk komponen elektronik dan pengurusan inventori.
Ikut kami
Terma & SyaratDasar pelanggaranPermintaan SebuthargaTentang kitaHubungi KamiPeta tapak

Pilih Bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa semasa.

Pilih negara atau rantau anda.