Bagi pelawat di Electronica 2024

Tempah masa anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk menempah tempat anda dan dapatkan tiket gerai

Hall C5 Booth 220

Pendaftaran pendahuluan

Bagi pelawat di Electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih kerana membuat temujanji!
Kami akan menghantar tiket gerai melalui e -mel sebaik sahaja kami mengesahkan tempahan anda.
Rumah > Berita > Shin Etsu Chemical membangunkan substrat berskala besar untuk semikonduktor GAN
RFQs/Pesanan (0)
Melayu
Melayu

Shin Etsu Chemical membangunkan substrat berskala besar untuk semikonduktor GAN


Industri Kimia Shin Etsu dari Jepun telah membangunkan substrat besar untuk pembuatan semikonduktor Gallium Nitride (GAN).

Menurut laporan media, substrat yang digunakan untuk pembuatan semikonduktor kompaun Gallium Nitride telah berjaya mencapai pengeluaran berskala besar.Dilaporkan bahawa substrat ini boleh digunakan untuk semikonduktor komunikasi 6g dan semikonduktor kuasa yang digunakan di pusat data.Jika Gallium nitride digunakan, komunikasi yang stabil dan kawalan kuasa tinggi dapat dicapai dalam julat frekuensi tinggi, tetapi sukar untuk menghasilkan substrat yang berkualiti tinggi, yang telah menjadi halangan kepada populasi.

Shinetsu Chemical mempunyai teknologi untuk menyediakan kristal gallium nitride berdasarkan "substrat QST" (substrat bebas menggunakan bahan seperti aluminium nitride).Berbanding dengan substrat silikon, kristal galium nitrida berkualiti tinggi dan berkualiti tinggi boleh dihasilkan.Kami telah berjaya membangunkan substrat QST dengan diameter 300 milimeter, iaitu kira -kira 2.3 kali lebih besar daripada produk terdahulu dan mempunyai kawasan yang sama dengan substrat silikon yang biasa digunakan dalam semikonduktor tradisional.

Pilih Bahasa

Klik pada ruang untuk keluar